[发明专利]一种Micro LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种Micro LED芯片，其特征在于，所述Micro LED芯片包括：

衬底，所述衬底具有第一表面；

设置在所述第一表面的外延发光结构，所述外延发光结构包括在所述第一表面依次沉积的缓冲层、第一型导电层、有源区和第二型导电层；

设置在所述第二型导电层背离所述有源区一侧表面的反射结构；

设置在所述反射结构背离所述第二型导电层一侧表面的保护层；

设置在所述保护层背离所述反射结构一侧表面的第一电极、第二电极和非导电DBR反射结构，所述非导电DBR反射结构位于所述第一电极和所述第二电极之间，且所述非导电DBR反射结构的厚度不小于所述第一电极或所述第二电极的厚度；

其中，所述保护层具有第一导电通道和第二导电通道，所述第一导电通道贯穿所述保护层、所述反射结构、所述第二型导电层和所述有源区，所述第一电极通过所述第一导电通道与所述第一型导电层形成电连接；所述第二导电通道贯穿所述保护层和所述反射结构，所述第二电极通过所述第二导电通道与所述第二型导电层形成电连接。

2.根据权利要求1所述的Micro LED芯片，其特征在于，所述反射结构的纵横比小于3：1。

3.根据权利要求2所述的Micro LED芯片，其特征在于，所述反射结构的长度小于100um，宽度小于90um。

4.根据权利要求3所述的Micro LED芯片，其特征在于，所述反射结构的材料为金属反射材料、或非金属DBR反射材料、或所述金属反射材料与所述非金属DBR反射材料的复合材料。

5.根据权利要求4所述的Micro LED芯片，其特征在于，所述金属反射材料为Au、Ag、Al、Pt和Cu中的任意一种或多种组合。

6.根据权利要求4所述的Micro LED芯片，其特征在于，所述非金属DBR反射材料为由。

7.根据权利要求1所述的Micro LED芯片，其特征在于，所述外延发光结构至少包括第一型导电层、有源区和第二型导电层；

所述有源区的材料为AlGaInN、AlGaInP或AlGaInAsP。

8.根据权利要求1所述的Micro LED芯片，其特征在于，至少包括两个电极，且所述两个电极均设置在所述外延发光结构的同一侧，所述两个电极的面积不小于所述Micro LED芯片面积的50％。

9.根据权利要求1所述的Micro LED芯片，其特征在于，还包括：

设置在所述第二型导电层与所述反射结构之间的透明导电层；

设置在所述第一导电通道内侧壁上的绝缘层。

10.一种Micro LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一衬底，所述衬底具有第一表面；

在所述第一表面形成外延发光结构，所述外延发光结构包括在所述第一表面依次沉积的缓冲层、第一型导电层、有源区和第二型导电层；

在所述第二型导电层背离所述有源区的一侧表面形成反射结构；

在所述反射结构背离所述第二型导电层的一侧表面形成保护层；

在所述保护层背离所述反射结构的一侧表面形成第一电极、第二电极和非导电DBR反射结构，所述非导电DBR反射结构位于所述第一电极和所述第二电极之间，且所述非导电DBR反射结构的厚度不小于所述第一电极或所述第二电极的厚度；

其中，所述保护层具有第一导电通道和第二导电通道，所述第一导电通道贯穿所述保护层、所述反射结构、所述第二型导电层和所述有源区，所述第一电极通过所述第一导电通道与所述第一型导电层形成电连接；所述第二导电通道贯穿所述保护层和所述反射结构，所述第二电极通过所述第二导电通道与所述第二型导电层形成电连接。