[发明专利]一种探测器的制备方法在审
| 申请号： | 202210757135.7 | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN115159447A | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 201800 上海市嘉定*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种探测器的制备方法，该方法能够改善微桥单元结构的均匀性问题。该方法包括提供硅衬底，硅衬底上形成有读出电路；在硅衬底的表面形成金属反射层和介质层；在金属反射层和介质层表面依次沉积第一牺牲层、第二牺牲层、第一释放保护层和敏感材料探测层、金属电极层，以及图形化金属电极层；沉积形成包覆敏感材料探测层和金属电极层的第二释放保护层；图形化第二释放保护层后进行刻蚀形成接触孔，以及在接触孔内沉积金属，形成支撑结构；沉积第三释放保护层，并图形化形成微桥单元结构；在微桥单元结构表面沉积第三牺牲层；进行光刻刻蚀，形成梁结构；工艺释放去除第一牺牲层、第二牺牲层和第三牺牲层，形成悬空的微桥单元结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210757135.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
