[发明专利]一种探测器的制备方法

权利要求书

1.一种探测器的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供硅衬底，所述硅衬底上形成有读出电路；

在所述硅衬底的表面形成金属反射层和介质层；

在所述金属反射层和所述介质层表面依次沉积第一牺牲层、第二牺牲层、第一释放保护层和敏感材料探测层、金属电极层，以及图形化金属电极层；

沉积形成包覆所述敏感材料探测层和所述金属电极层的第二释放保护层；

图形化所述第二释放保护层后进行刻蚀形成暴露部分所述金属反射层的接触孔，以及在所述接触孔内沉积金属，形成支撑结构；

沉积第三释放保护层，并图形化形成微桥单元结构，所述微桥单元结构包括所述第一释放保护层、所述敏感材料探测层、所述金属电极层、所述第二释放保护层和所述第三释放保护层；

在所述微桥单元结构表面沉积第三牺牲层；

进行光刻刻蚀形成梁结构，所述微桥单元结构通过所述梁结构与所述支撑结构相连接；

工艺释放去除所述第一牺牲层、所述第二牺牲层和所述第三牺牲层，形成悬空的所述微桥单元结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进行光刻刻蚀形成梁结构具体步骤包括：

进行光刻刻蚀，形成贯穿所述第一牺牲层、所述第二牺牲层和所述第三牺牲层的沟槽，相邻两沟槽之间形成所述梁结构；

所述沟槽的尺寸小于梁结构的宽度，所述第三牺牲层设置于所述梁结构的上表面，所述第二牺牲层设置于所述梁结构的下表面。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三牺牲层、所述第二牺牲层和所述第一牺牲层的材料一致。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二牺牲层和所述第三释放保护层之间的释放选择比大于所述第一牺牲层和所述第三释放保护层之间的释放选择比。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一牺牲层的材料为非晶硅；所述第二牺牲层和第三牺牲层的材料均为非晶碳。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述微桥单元结构表面沉积第三牺牲层之后，还包括：

图形化所述第三牺牲层，去除所述微桥单元结构表面的部分所述第三牺牲层，使所述第三牺牲层厚度低于所述梁结构的厚度。

7.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第三牺牲层的厚度大于所述第二牺牲层的厚度。

8.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一牺牲层的厚度远大于所述第二牺牲层和所述第三牺牲层的厚度之和。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

对所述介质层平坦化使得所述金属反射层的高度和所述介质层的高度相同。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属为钨或铝。