[发明专利]太阳能电池结构及其制作方法在审
| 申请号： | 202210754770.X | 申请日： | 2022-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN114823933A | 公开（公告）日： | 2022-07-29 |
| 发明（设计）人： | 方超炎;陈德爽;任勇;何悦 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/02;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 霍文娟 |
| 地址： | 322118 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种太阳能电池结构及其制作方法。该太阳能电池结构包括：半导体衬底，半导体衬底的背面形成有第一掺杂区和第二掺杂区；第一重掺杂区，形成于半导体衬底中，且第一重掺杂区接触设置于第一掺杂区远离背面的一侧，第一重掺杂区与第一掺杂区均为P型掺杂，并大于第一掺杂区的掺杂浓度；第二重掺杂区，形成于半导体衬底中，且第二重掺杂区接触设置于第二掺杂区远离背面的一侧，第二重掺杂区与第二掺杂区均为N型掺杂，并大于第二掺杂区的掺杂浓度；具有固定负电荷的第一钝化层，形成于第一掺杂区远离第一重掺杂区的一侧；具有固定正电荷的第二钝化层，形成于第二掺杂区远离第二重掺杂区的一侧。上述太阳能电池结构具有较高的转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于横店集团东磁股份有限公司，未经横店集团东磁股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210754770.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
