[发明专利]太阳能电池结构及其制作方法

权利要求书

1.一种太阳能电池结构，其特征在于，包括：

半导体衬底，所述半导体衬底的背面形成有第一掺杂区和第二掺杂区；

第一重掺杂区，形成于所述半导体衬底中，且所述第一重掺杂区接触设置于所述第一掺杂区远离所述背面的一侧，所述第一重掺杂区与所述第一掺杂区均为P型掺杂，且所述第一重掺杂区的掺杂浓度大于所述第一掺杂区的掺杂浓度；

第二重掺杂区，形成于所述半导体衬底中，且所述第二重掺杂区接触设置于所述第二掺杂区远离所述背面的一侧，所述第二重掺杂区与所述第二掺杂区均为N型掺杂，且所述第二重掺杂区的掺杂浓度大于所述第二掺杂区的掺杂浓度；

第一钝化层，形成于所述第一掺杂区远离所述第一重掺杂区的一侧，所述第一钝化层具有固定负电荷；

第二钝化层，至少形成于所述第二掺杂区远离所述第二重掺杂区的一侧，所述第二钝化层具有固定正电荷。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池结构，其特征在于，所述半导体衬底的背面具有凹槽，所述第一掺杂区形成于所述背面中与所述凹槽对应的区域，所述第二掺杂区形成于所述背面中位于所述凹槽两侧的区域，所述第一钝化层形成于所述凹槽中。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池结构，其特征在于，所述第二钝化层中的一部分形成于所述第二掺杂区远离所述第二重掺杂区的一侧，所述第二钝化层中的另一部分形成于所述第一钝化层远离所述第一掺杂区的一侧。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池结构，其特征在于，

所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂浓度独立地选自10¹⁸~10²⁰cm^-3；

所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区的掺杂浓度独立地选自10²⁰~10²²cm^-3。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池结构，其特征在于，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区为多晶硅掺杂结构，所述太阳能电池结构还包括：

隧穿氧化层，覆盖于所述多晶硅掺杂结构的远离所述第一钝化层和所述第二钝化层的一侧表面。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池结构，其特征在于，所述第一钝化层包括氧化铝层、氧化镓层、氧化铝与氮化硅的叠层以及氧化镓与氮化硅的叠层中的任一种或多种。

7.根据权利要求1所述的太阳能电池结构，其特征在于，所述第二钝化层包括氮化硅层和/或氢化非晶硅层。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的太阳能电池结构，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底，所述太阳能电池结构还包括：

二氧化硅层，所述二氧化硅层覆盖于所述背面，所述二氧化硅层中的一部分位于所述第一掺杂区与所述第一钝化层之间，所述二氧化硅层中的另一部分位于所述第二掺杂区与所述第二钝化层之间。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的太阳能电池结构，其特征在于，还包括：

正表面场，形成于所述半导体衬底的正面，所述半导体衬底为掺杂衬底，所述正表面场与所述掺杂衬底的掺杂类型相同，且所述正表面场的掺杂浓度大于所述掺杂衬底的掺杂浓度；或

正面浮动结，形成于所述半导体衬底的正面，所述半导体衬底为掺杂衬底，所述正面浮动结与所述掺杂衬底的掺杂类型相反，且所述正面浮动结的掺杂浓度大于所述掺杂衬底的掺杂浓度。