[发明专利]一种降低单晶头氧含量的方法在审
| 申请号： | 202210740650.4 | 申请日： | 2022-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN115074827A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 段俊飞 | 申请（专利权）人： | 乌海市京运通新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B27/02 | 分类号： | C30B27/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 太原景誉专利代理事务所(普通合伙) 14113 | 代理人： | 郑景华 |
| 地址： | 016000 内蒙古*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明具体涉及一种降低单晶头氧含量的方法，属于直拉单晶硅技术领域，所要解决的技术问题是直拉法单晶硅的生长过程中头部的氧含量高的问题，采用的技术方案包括如下步骤：安装热场，装有原料的石英坩埚使用吊料车吊入炉内，进行合炉拆炉后调整干泵频率进行抽真空；熔料，将坩埚中的硅晶体原料加热熔化，形成稳定流动的熔体；将籽晶将至液面使用余热熔接并开始引晶；晶体呈纵向生长等径生长，生长完成后进行收尾；将晶体冷却后取出，进行二次加料，完成后再次熔料；循环上述步骤拉直多段晶体，最后一段将坩埚内晶体熔料消耗剩余5‑7kg停炉。本发明用于直拉法单晶硅生长，可以降低单晶硅头氧含量0.8‑1.5ppma。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 单晶头氧 含量 方法 | ||
【主权项】：
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