[发明专利]一种降低单晶头氧含量的方法在审
| 申请号： | 202210740650.4 | 申请日： | 2022-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN115074827A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 段俊飞 | 申请（专利权）人： | 乌海市京运通新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B27/02 | 分类号： | C30B27/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 太原景誉专利代理事务所(普通合伙) 14113 | 代理人： | 郑景华 |
| 地址： | 016000 内蒙古*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 单晶头氧 含量 方法 | ||
1.一种降低单晶头氧含量的方法，其特征在于，包括如下步骤：
安装热场，装有原料的石英坩埚使用吊料车吊入炉内，进行合炉拆炉后调整干泵频率进行抽真空；
熔料，将坩埚中的硅晶体原料加热熔化，形成稳定流动的熔体；
将籽晶将至液面使用余热熔接并开始引晶，引晶拉速为4-5.5mm/min，引晶长度180-220mm；放肩，使得晶体的直径逐步增大至220mm-310mm；
晶体呈纵向生长等径生长，参数为埚转4-5转，晶转9-10转，氩气流量90-100slpm，炉压2.0-2.5kpa，生长完成后进行收尾；
将晶体冷却后取出，进行二次加料，氩气流量90-100slpm，完成后再次熔料；
循环上述步骤拉直多段晶体，最后一段将坩埚内晶体熔料消耗剩余5-7kg停炉。
2.根据权利要求1所述的一种降低单晶头氧含量的方法，其特征在于，抽真空至极限真空≤40mTorr，泄漏率≤40mTorr/hr。
3.根据权利要求1所述的一种降低单晶头氧含量的方法，其特征在于，所述干泵频率调整为95-105L/秒。
4.根据权利要求1所述的一种降低单晶头氧含量的方法，其特征在于，所述熔料与引晶工序之间还包括提渣、调温工序。
5.根据权利要求4所述的一种降低单晶头氧含量的方法，其特征在于，熔料期间，在石英坩埚内未熔料块为线性尺寸在150mm以下时进行粘渣，此时将功率降到引晶功率，粘渣完成后进行提渣工序。
6.根据权利要求4所述的一种降低单晶头氧含量的方法，其特征在于，调温前将坩埚上升，参数为埚转4-5转，晶转9-10转，氩气90-100slpm，炉压2.0-2.5kp；将籽晶降至液面使用余热熔接，熔接完成后降功率到35-40kw进行降温，约15-25min后降功率给到引晶功率，稳定30min完成调温。
7.根据权利要求5或6所述的一种降低单晶头氧含量的方法，其特征在于，所述引晶功率为55-65Kw。
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