[发明专利]互连结构、具有互连结构的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210692897.3 | 申请日： | 2022-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN115910993A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 金宗洙 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;李少丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及一种互连结构、具有互连结构的半导体器件及其制造方法。本公开的各个实施例通过经由单个间隙填充处理同时形成延各个方向延伸的互连件来提高半导体器件的集成度。本发明的实施例提供了一种能够简化半导体处理的互连结构、包括该互连结构的半导体器件以及用于制造该半导体器件的方法。根据本公开的一个实施例，一种互连结构包括：多个互连件的堆叠，其中，多个互连件中的至少两层沿不同方向延伸，并且至少两层的下部互连件的上表面的一部分与至少两层的上部互连件的下表面的一部分直接接触。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 具有 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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