[发明专利]互连结构、具有互连结构的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202210692897.3 | 申请日： | 2022-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN115910993A | 公开（公告）日： | 2023-04-04 |
| 发明（设计）人： | 金宗洙 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;李少丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 互连 结构 具有 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种互连结构，包括：
多个互连件的堆叠，其中，
所述多个互连件中的至少两层沿不同方向延伸，以及
所述至少两层的下部互连件的上表面的一部分与所述至少两层的上部互连件的下表面的一部分直接接触。
2.根据权利要求1所述的互连结构，其中，所述上部互连件的线宽与所述下部互连件的线宽相同或大于所述下部互连件的线宽。
3.一种半导体器件，包括：
第一互连件，其在衬底之上沿第一方向延伸；
第一接触件，其连接所述第一互连件和所述衬底；以及
第二互连件，其形成在所述第一互连件之上，与所述第一互连件的一部分直接接触，并且沿与所述第一方向不同的第二方向延伸。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一互连件的上表面和所述第二互连件的下表面位于相同的水平。
5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第二互连件的线宽与所述第一互连件的线宽相同或者大于所述第一互连件的线宽。
6.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括第三互连件，所述第三互连件在所述第二互连件之上形成，与所述第二互连件的一部分直接接触，并且沿与所述第二方向不同的第三方向延伸。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第二互连件的上表面和所述第三互连件的下表面位于相同的水平。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述第三互连件的线宽与所述第二互连件的线宽相同或者大于所述第二互连件的线宽。
9.根据权利要求3所述的半导体器件，还包括：
第三互连件，其形成在所述第二互连件之上并且沿第三方向延伸；以及
第二接触件，其两个端部分别与所述第二互连件和所述第三互连件直接接触。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第二互连件的上表面位于比所述第三互连件的下表面更低的水平。
11.一种半导体器件，包括：
第一互连件，其形成在衬底之上并且沿第一方向延伸；
第一接触件，其连接所述第一互连件和所述衬底；
第二互连件，其形成在所述第一互连件之上并且沿第二方向延伸；
第二接触件，其连接所述第一互连件和所述第二互连件；以及
第三互连件，其形成在所述第二互连件之上，与所述第二互连件的一部分直接接触，并且沿与所述第二方向不同的第三方向延伸。
12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第二互连件的上表面和所述第三互连件的下表面位于相同的水平。
13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第三互连件的线宽与所述第二互连件的线宽相同或大于所述第二互连件的线宽。
14.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述第二互连件和所述第三互连件的厚度小于所述第一互连件的厚度。
15.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括第四互连件，所述第四互连件形成在所述第三互连件之上，与所述第三互连件的一部分直接接触，并且沿与所述第三方向不同的第四方向延伸。
16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第三互连件的上表面和所述第四互连件的下表面位于相同的水平。
17.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第四互连件的线宽与所述第三互连件的线宽相同或者大于所述第三互连件的线宽。
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