[发明专利]一种降低锡基钙钛矿薄膜表面Sn4+

摘要

本发明公开一种利用原位生长甲脒盐酸盐(FACl)分子降低锡基钙钛矿薄膜ASnI3(其中A为甲脒(FA)、甲胺(MA)、Cs及其二元与三元混合物)表面四价锡离子(Sn4+)浓度的方法。本发明通过发现在锡基钙钛矿薄膜表面原位生长甲脒盐酸盐(FACl)分子可以与薄膜表面自发形成的四碘化锡(SnI4)组分形成配合物，配合物的挥发温度明显低于后续退火处理的温度，可以有效去除锡基钙钛矿薄膜表面自发形成的Sn4+。利用本发明可以有效降低锡基钙钛矿薄膜表面Sn4+的浓度，提高薄膜的结晶度同时大幅降低缺陷态密度，利用此方法制备的锡基钙钛矿薄膜具有优越的光电性能。