[发明专利]一种降低锡基钙钛矿薄膜表面Sn4+ 在审
| 申请号： | 202210690340.6 | 申请日： | 2022-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN115377296A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 王宁;周建恒 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | H01L51/48 | 分类号： | H01L51/48;C23C14/58;C23C14/24;C23C14/12 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 朱世林 |
| 地址： | 130012 吉林省长春市*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 锡基钙钛矿 薄膜 表面 sn base sup | ||
【权利要求书】：
1.一种利用原位生长甲脒盐酸盐(FACl)分子降低锡基钙钛矿薄膜表面Sn4+浓度的方法，其特征在于，制备方法如下：
1)在锡基钙钛矿薄膜表面原位生长甲脒盐酸盐(FACl)分子层；
2)将表面原位生长甲脒盐酸(FACl)分子层的锡基钙钛矿薄膜进行退火处理获得表面Sn4+浓度降低的钙钛矿薄膜。
2.如权利要求1所述的原位生长工艺，其特征在于甲脒盐酸盐(FACl)分子层利用真空蒸镀法制备。
3.如权利要求1所述的原位生长工艺，其特征在于甲脒盐酸盐(FACl)分子在真空蒸镀时真空镀膜机中真空度为1×10-3bar-1×10-5bar。
4.如权利要求1所述的原位生长工艺，其特征在于甲脒盐酸盐(FACl)分子层生长厚度为1-20nm。
5.如权利要求1所述的原位生长工艺，其特征在于甲脒盐酸盐(FACl)真空蒸镀时温度维持在40℃-110℃。
6.如权利要求1所示的锡基钙钛矿薄膜，其特征在于，步骤2)中所述退火温度为60℃-120℃。
7.如权利要求1所示的锡基钙钛矿薄膜，其特征在于，步骤2)中所述退火时间为5-30min。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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