[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构在审
| 申请号： | 202210681171.X | 申请日： | 2022-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN114883253A | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 朱黄霞;李雄;郭肖林 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京名华博信知识产权代理有限公司 11453 | 代理人： | 朱影 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构，制作方法包括：提供衬底；在衬底上形成第一材料层，图形化第一材料层，在第一材料层中形成第一图形，在第一方向上，第一图形的两侧具有第一沟槽，第一沟槽暴露出衬底上的第一预设区域；沿第一沟槽对第一预设区域进行第一掺杂工艺；在第一沟槽中填充第一介质层，继续图形化第一材料层，以暴露出衬底上的第二预设区域；对第二预设区域进行第二掺杂工艺；热处理衬底。本公开中，第二掺杂工艺之前，先在沟道区的两端进行第一掺杂工艺，形成未激活的第一类型掺杂区域，从而第二掺杂工艺注入的离子能够被第一类型掺杂区域阻挡，无法向沟道区扩散，减小栅极结构与掺杂区的重叠面积，减小隧穿漏电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210681171.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
