[发明专利]半导体结构的制作方法及半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成第一材料层，图形化所述第一材料层，在所述第一材料层中形成第一图形，在第一方向上，所述第一图形的两侧具有第一沟槽，所述第一沟槽暴露出所述衬底上的第一预设区域，所述第一方向为平行于所述衬底的方向；

沿所述第一沟槽对所述第一预设区域进行第一掺杂工艺，在所述第一预设区域注入第一类型离子；

在所述第一沟槽中填充第一介质层，继续图形化所述第一材料层，以暴露出所述衬底上的第二预设区域；

以所述第一介质层为掩膜，对所述第二预设区域进行第二掺杂工艺，在所述第二预设区域注入第二类型离子；

热处理所述衬底，激活所述第一类型离子和所述第二类型离子，以在所述衬底中形成第一类型掺杂区域和第二类型掺杂区域，在第二方向上，所述第一类型掺杂区在所述第一介质层下方具有第一深度，所述第二类型掺杂区域在所述第一介质层下方具有第二深度，所述第一深度大于所述第二深度，其中，所述第二方向垂直于所述第一方向。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述在所述衬底上形成第一材料层，包括：

形成栅氧化层，所述栅氧层覆盖所述衬底的顶面；

形成栅导电层，所述栅导电层覆盖所述栅氧化层的顶面。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，在所述第一方向上，所述第一沟槽具有第一宽度。

4.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，对所述第二预设区域进行第二掺杂工艺时，所述半导体结构的制作方法还包括：

以所述第一介质层为掩膜，对所述衬底进行晕环离子注入，以在所述衬底中形成未激活的晕环离子注入区域。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，对所述第二预设区域进行第二掺杂工艺之后，所述半导体结构的制作方法还包括：

形成第二介质层，所述第二介质层至少覆盖部分所述第一介质层的侧面，所述第二介质层至少覆盖部分所述第二预设区域。

6.根据权利要求5所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，形成所述第二介质层后，所述半导体结构的制作方法包括：

继续图形化所述第一材料层，以暴露出所述衬底上的第三预设区域；

以所述第二介质层为掩膜，对所述第三预设区域进行第三掺杂工艺，在所述第三预设区域注入所述第二类型离子；

其中，所述第三掺杂工艺注入所述第二类型离子的能量和/或剂量大于所述第二掺杂工艺。

7.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第二掺杂工艺中，所述第二类型离子的注入能量为2keV～5keV，注入剂量为1E13/平方厘米～5E14/平方厘米；

所述第三掺杂工艺中，所述第二类型离子的注入能量为10keV～15keV，注入剂量为1E15/平方厘米～5E15/平方厘米。

8.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，热处理所述衬底之后，所述半导体结构的制作方法还包括：

去除位于所述第一介质层之间的所述第一材料层；

在所述衬底上形成栅介电结构，所述栅介电结构位于所述第一介质层之间；

在所述栅介电结构上形成栅导电结构；

其中，所述栅导电结构的材质包括金属材料。

9.根据权利要求6所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，热处理所述衬底后，所述半导体结构的制作方法还包括：

在所述第三预设区域形成导电结构，所述导电结构其中之一构成源极导电结构，所述导电结构其中另一构成漏极导电结构。

10.根据权利要求1所述的半导体结构的制作方法，其特征在于，所述第一类型离子包括锗离子、硼离子、铟离子、氮离子、砷离子、碳离子、氙离子、锑离子和氩离子中的至少一种。