[发明专利]LIGBT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202210670829.7 | 申请日： | 2022-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN115000156A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 吕伟杰;陈天;肖莉;王黎;陈华伦 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/08;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦健 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LIGBT器件及其制备方法，所述方法包括：提供一具有阱区及漂移区的SOI衬底，所述SOI衬底由底部衬底层、中间埋氧层及顶部半导体层叠加而成，所述漂移区形成于所述顶部半导体层内，所述阱区形成于所述漂移区的表层中；于所述漂移区内形成集电区，所述集电区形成于所述阱区的一侧，包括缓冲区，形成于所述缓冲区表层中的集电极引出区及形成于所述缓冲区远离所述阱区一侧的集电极注入区。通过本发明解决了现有的LIGBT器件抗ESD能力较弱的问题。 | ||
| 搜索关键词： | ligbt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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