[发明专利]LIGBT器件及其制备方法

权利要求书

1.一种LIGBT器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一具有阱区及漂移区的SOI衬底，所述SOI衬底由底部衬底层、中间埋氧层及顶部半导体层叠加而成，所述漂移区形成于所述顶部半导体层内，所述阱区形成于所述漂移区的表层中；

于所述漂移区内形成集电区，所述集电区形成于所述阱区的一侧，包括缓冲区，形成于所述缓冲区表层中的集电极引出区及形成于所述缓冲区远离所述阱区一侧的集电极注入区；

于所述阱区的表层中形成至少一个发射极接触区。

2.根据权利要求1所述的LIGBT器件的制备方法，其特征在于，于所述漂移区内形成所述集电区的方法包括：

通过离子注入工艺形成所述缓冲区、所述集电极引出区及所述集电极注入区。

3.根据权利要求2所述的LIGBT器件的制备方法，其特征在于，所述集电极引出区的离子掺杂类型与所述集电极注入区的离子掺杂类型相反。

4.根据权利要求1～3任一项所述的LIGBT器件的制备方法，其特征在于，所述缓冲区包括第一缓冲区及第二缓冲区，所述第一缓冲区通过离子注入工艺形成于所述漂移区内，所述第二缓冲区通过离子注入工艺形成于所述第一缓冲区内且与具有与所述第一缓冲区相反类型的离子掺杂。

5.根据权利要求1所述的LIGBT器件的制备方法，其特征在于，通过离子注入工艺形成所述发射极接触区，且所述发射极接触区的离子掺杂类型与所述集电极注入区的离子掺杂类型相同。

6.根据权利要求1所述的LIGBT器件的制备方法，其特征在于，在形成所述集电区之前，所述方法还包括于所述漂移区内形成第一沟槽栅极及第二沟槽栅极的步骤，其中，所述第一沟槽栅极形成于所述集电区与所述阱区之间并与所述阱区相贴设置，所述第二沟槽栅极形成于所述阱区远离所述集电区的一侧并与所述阱区相贴设置。

7.根据权利要求1所述的LIGBT器件的制备方法，其特征在于，所述方法还包括通过离子注入工艺于所述阱区的表层中形成体区引出区的步骤，此时，若所述发射极接触区的数目至少为2，所述体区引出区形成于所述发射极接触区之间，且所述体区引出区的离子掺杂类型与所述发射极接触区的离子掺杂类型相反。

8.根据权利要求1所述的LIGBT器件的制备方法，其特征在于，所述方法还包括通过离子注入工艺于所述阱区的下方形成载流子存储层的步骤，其中，所述载流子存储层的离子掺杂类型与所述发射极接触区的离子掺杂类型相同。

9.一种LIGBT器件，其特征在于，所述器件包括：

SOI衬底，所述SOI衬底由底部衬底层、中间埋氧层以及顶部半导体层叠加而成；

漂移区及阱区，所述漂移区形成于所述顶部半导体层内，所述阱区形成于所述漂移区的表层中；

集电区，形成于所述阱区的一侧，包括缓冲区、集电极引出区及集电极注入区；

至少一个发射极接触区，形成于所述阱区的表层中。

10.根据权利要求9所述的LIGBT器件，其特征在于，所述缓冲区包括第一缓冲区及第二缓冲区，所述第一缓冲区形成于所述漂移区内，所述第二缓冲区形成于所述第一缓冲区内。

11.根据权利要求9所述的LIGBT器件，其特征在于，所述器件包括：第一沟槽栅极和第二沟槽栅极，所述第一沟槽栅极形成于所述集电区与所述阱区之间，所述第二沟槽栅极形成于所述阱区远离所述集电区的一侧。

12.根据权利要求9所述的LIGBT器件，其特征在于，所述器件包括：载流子存储层，形成于所述阱区的下方。

13.根据权利要求9所述的LIGBT器件，其特征在于，所述器件还包括体区引出区，形成于所述阱区的表层中，且与所述发射极接触区相贴设置，若所述发射极接触区的数目大于等于2，所述体区引出区设于所述发射极接触区之间。