[发明专利]具有优越性能、稳定性及可制造性的绝缘体结构上的射频硅在审
| 申请号： | 202210670187.0 | 申请日： | 2019-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN114975085A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | M·R·西克里斯特;R·W·斯坦德利;J·L·利贝特;H·斯雷德哈拉穆尔西;L·詹森 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 江葳 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及具有优越性能、稳定性及可制造性的绝缘体结构上的射频硅。通过利用从浮区生长单晶硅锭切片的单晶硅处置晶片来提供一种具有优越射频装置性能的绝缘层上半导体(例如，绝缘层上硅)结构及一种制备此结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 优越 性能 稳定性 制造 绝缘体 结构 射频 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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