[发明专利]具有优越性能、稳定性及可制造性的绝缘体结构上的射频硅在审

申请号：	202210670187.0	申请日：	2019-07-11
公开（公告）号：	CN114975085A	公开（公告）日：	2022-08-30
发明（设计）人：	M·R·西克里斯特;R·W·斯坦德利;J·L·利贝特;H·斯雷德哈拉穆尔西;L·詹森	申请（专利权）人：	环球晶圆股份有限公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L21/762
代理公司：	北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287	代理人：	江葳
地址：	中国台湾新竹市***	国省代码：	台湾;71
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	具有优越性能稳定性制造绝缘体结构射频
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种多层结构，其包括：

单晶硅晶片处置衬底，其包括其中的一者是所述单晶硅晶片处置衬底的前表面且其中的另一者是所述单晶硅晶片处置衬底的后表面的两个主要、大体上平行表面；结合所述单晶硅晶片处置衬底的所述前表面及所述后表面的圆周边缘；及介于所述单晶硅晶片处置衬底的所述前表面与所述后表面之间的所述单晶硅晶片处置衬底的中心平面，其中所述单晶硅晶片处置衬底具有至少约5000欧姆-cm的体电阻率、小于约1×10¹⁶个原子/cm³的填隙氧浓度，及至少约1×10¹³个原子/cm³的氮浓度；

富阱层，其与所述单晶硅晶片处置衬底的所述前表面界面接触，且包括一或多个多晶半导体层或一或多个非晶半导体层；

电介质层，其与所述富阱层界面接触；及

单晶半导体装置层，其与所述电介质层界面接触；

其中所述多层结构在15dBm的射频输入功率下展示了优于-90dBm的二次谐波失真(HD2)值；以及

其中所述单晶半导体处置衬底包括从通过浮区方法生长的单晶硅锭切片的硅晶片。

2.根据权利要求1所述的多层结构，其中从通过所述浮区方法生长的单晶硅锭切片的所述硅晶片具有至少约150mm的直径。

3.根据权利要求1所述的多层结构，其中从通过所述浮区方法生长的单晶硅锭切片的所述硅晶片具有至少约200mm的直径。

4.根据权利要求1所述的多层结构，其中所述单晶半导体处置衬底具有至少约7,500欧姆-cm的体电阻率。

5.根据权利要求1所述的多层结构，其中所述单晶半导体处置衬底具有至少约10,000欧姆-cm的体电阻率。

6.根据权利要求1要求所述的多层结构，其中所述单晶半导体处置衬底具有至少约15,000欧姆-cm的体电阻率。

7.根据权利要求1所述的多层结构，其中所述单晶半导体处置衬底具有至少约20,000欧姆-cm的体电阻率。

8.根据权利要求1所述的多层结构，其中所述单晶半导体处置衬底具有小于约100,000欧姆-cm的体电阻率。