[发明专利]一种SiC+MOSFET的驱动电路在审
| 申请号： | 202210655209.6 | 申请日： | 2022-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN115102533A | 公开（公告）日： | 2022-09-23 |
| 发明（设计）人： | 邓松彬;杨兆华 | 申请（专利权）人： | 佛山科学技术学院 |
| 主分类号： | H03K17/0812 | 分类号： | H03K17/0812;H03K17/687 |
| 代理公司： | 佛山市禾才知识产权代理有限公司 44379 | 代理人： | 刘羽波;陈嘉琦 |
| 地址： | 528000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种SiC+MOSFET的驱动电路，包括S i C+MOSFET开关电路和驱动电路，该驱动电路包括电源电路以及其余功能电路或模块(具体包括隔离电路、驱动电阻、保护执行电路、缓冲寄存电路、逻辑处理电路以及电路过流检测装置)，电源电路用于为以上功能电路或模块提供电力。其具有以下优点：电源接通后，电源电路中的多个电解电容分别充电，当脉冲信号到来且S i C+MOSFET开关电路开通时，若驱动电路输出能力不足而导致输出电压下降时，多个电解电容可放电以提供足够大的门极脉冲电流，保证S i C+MOSFET开关电路迅速开通，响应速度快；并且，在正、负驱动电压和接地点之间分别接入若干稳压二极管，可避免电路过电压对器件造成损害，起到过流保护作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic mosfet 驱动 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佛山科学技术学院，未经佛山科学技术学院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210655209.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种锂电池加工用封盖装置
- 下一篇：一种电池铝箔无铬钝化剂的制备及应用
