[发明专利]一种SiC+MOSFET的驱动电路

权利要求书

1.一种SiC+MOSFET的驱动电路，其特征在于，包括SiC+MOSFET开关电路和驱动电路，所述驱动电路包括电源电路、隔离电路、驱动电阻、保护执行电路、缓冲寄存电路、逻辑处理电路以及电路过流检测装置；

所述隔离电路、所述缓冲寄存电路、所述驱动电阻和所述SiC+MOSFET开关电路依次连接；

所述隔离电路、所述保护执行电路、所述逻辑处理电路、所述电路过流检测装置和所述SiC+MOSFET开关电路依次连接；

所述电源电路的输入端和外部供电电源连接，且其输出端和所述隔离电路、所述缓冲寄存电路、所述保护执行电路、所述逻辑处理电路以及所述电路过流检测装置连接，用于为以上部件提供正/负驱动电压和0V/5V逻辑电压；

其中，所述电源电路包括串联设置在正驱动电压和负驱动电压之间的至少两个电解电容以及设置在正驱动电压和接地点之间的若干第一稳压二极管、设置在负驱动电压和接地点之间的若干第二稳压二极管。

2.根据权利要求1所述的SiC+MOSFET的驱动电路，其特征在于，所述电源电路在开通时的正驱动电压为+20V，关断时的负驱动电压为-3V。

3.根据权利要求2所述的SiC+MOSFET的驱动电路，其特征在于，所述电源电路的电解电容数量为两个，且二者的电容大小均为470μF。

4.根据权利要求1所述的SiC+MOSFET的驱动电路，其特征在于，所述SiC+MOSFET开关电路包括相互串联形成回路的第一寄生电容、第二寄生电容和第三寄生电容，且包括和该回路连接的内部门极电阻、第一寄生电感和第二寄生电感；

其中，所述内部门极电阻设置在所述第一寄生电容和所述第二寄生电容之间，所述第一寄生电感设置在所述第一寄生电容和所述第三寄生电容之间，所述第二寄生电感设置在所述第二寄生电容和所述第三寄生电容之间。

5.根据权利要求4所述的SiC+MOSFET的驱动电路，其特征在于，所述SiC+MOSFET开关电路的输入电容等于所述第一寄生电容和所述第二寄生电容之和，其输出电容等于所述第二寄生电容和所述第三寄生电容之和，其反向输出电容等于所述第二寄生电容。

6.根据权利要求1所述的SiC+MOSFET的驱动电路，其特征在于，所述隔离电路包括光耦隔离器、电磁隔离器、电容式隔离器以及CMOS隔离器中的任意一种或几种。

7.根据权利要求1所述的SiC+MOSFET的驱动电路，其特征在于，所述缓冲寄存电路包括脉冲控制电路、NPN型三极管和PNP型三极管，所述NPN型三极管的基极和所述PNP型三极管的发射极相连，所述NPN型三极管的集电极连接驱动正电压，所述PNP型三极管的集电极连接驱动负电压，所述NPN型三极管、所述PNP型三极管的共射极和所述脉冲控制电路的输出端连接。

8.根据权利要求7所述的SiC+MOSFET的驱动电路，其特征在于，所述缓冲寄存电路还包括抗扰电容，所述抗扰电容设置在所述NPN型三极管和所述PNP型三极管的集电极之间。

9.根据权利要求8所述的SiC+MOSFET的驱动电路，其特征在于，所述缓冲寄存电路还包括抗扰电阻，所述抗扰电阻设置在所述NPN型三极管、所述PNP型三极管的共射极和所述脉冲控制电路之间。

10.根据权利要求1所述的SiC+MOSFET的驱动电路，其特征在于，所述逻辑处理电路包括两个相互串联设置的二极管和一个RS触发器。