[发明专利]碳化硅LDMOSFET器件制造方法及碳化硅LDMOSFET器件有效
| 申请号： | 202210652972.3 | 申请日： | 2022-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN114744027B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 余山;赵东艳;王于波;陈燕宁;付振;刘芳;王凯;吴波;邓永峰;刘倩倩;郁文 | 申请（专利权）人： | 北京芯可鉴科技有限公司;北京智芯微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/40;H01L21/336;H01L29/78;H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 李红 |
| 地址： | 102200 北京市昌平区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体领域，提供一种碳化硅LDMOSFET器件制造方法及碳化硅LDMOSFET器件。所述方法包括：在P型碳化硅衬底上形成碳化硅外延层，在碳化硅外延层上粘接P型硅层；对P型硅层进行刻蚀处理，形成两个延伸至碳化硅外延层的沟槽；分别沿两个沟槽的底部对碳化硅外延层进行离子掺杂形成沟道区；离子掺杂形成N型漂移区，填充沟槽形成P型体区；对填充沟槽进行刻蚀，形成场板隔离介质层；在刻蚀后的填充沟槽内填充多晶硅形成多晶硅栅极；在P型体区和N型漂移区形成源漏区。本发明采用碳化硅衬底，利用碳化硅的高击穿特性，提高器件的击穿电压；通过沟道区将两个多晶硅栅极串联形成组合栅结构，降低器件的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 ldmosfet 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
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