[发明专利]FinFET漏端电流和栅极电压的模拟计算方法在审
| 申请号： | 202210639208.2 | 申请日： | 2022-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN115081196A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 施灵聪 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 钟玉敏 |
| 地址： | 201314*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种FinFET漏端电流与栅极电压拟合曲线的模拟方法中，包括：判断FinFET是否为具有非垂直壁鳍片的三栅FinFET；如果是，则获取一个垂直壁鳍片的三栅FinFET或一个环绕栅FinFET与若干个双栅FinFET并联的仿真电路图；对仿真电路图进行仿真，包括：调试双栅FinFET的拟合参数，调试垂直壁鳍片的三栅FinFET的拟合参数或者环绕栅FinFET的拟合参数，使得输出的拟合曲线与非垂直壁鳍片的三栅FinFET实际的漏端电流与栅极电压的曲线接近。本发明可以使得漏端电流和栅极电压的拟合曲线与实际的FinFET的漏端电流和栅极电压的曲线更接近。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 电流 栅极 电压 模拟 计算方法 | ||
【主权项】：
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