[发明专利]FinFET漏端电流和栅极电压的模拟计算方法在审
| 申请号： | 202210639208.2 | 申请日： | 2022-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN115081196A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 施灵聪 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人： | 钟玉敏 |
| 地址： | 201314*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | finfet 电流 栅极 电压 模拟 计算方法 | ||
1.一种FinFET漏端电流与栅极电压拟合曲线的模拟方法，其特征在于，包括：
判断待模拟的FinFET是否为具有非垂直壁鳍片的三栅FinFET；
如果为非垂直壁鳍片的三栅FinFET，则获取一个垂直壁鳍片的三栅FinFET或一个环绕栅FinFET与若干个双栅FinFET并联的仿真电路图；以及
对所述仿真电路图进行仿真，包括：调试双栅FinFET的拟合参数，同时，调试垂直壁鳍片的三栅FinFET的拟合参数或者环绕栅FinFET的拟合参数，使得输出的拟合曲线与非垂直壁鳍片的三栅FinFET实际的漏端电流与栅极电压的曲线接近。
2.如权利要求1所述的FinFET漏端电流与栅极电压拟合曲线的模拟方法，其特征在于，所述非垂直壁鳍片的三栅FinFET的鳍片的纵截面为梯形的形状。
3.如权利要求1所述的FinFET漏端电流与栅极电压拟合曲线的模拟方法，其特征在于，采用BSIM-CMG模型对所述仿真电路图进行仿真。
4.如权利要求1所述的FinFET漏端电流与栅极电压拟合曲线的模拟方法，其特征在于，还包括：对所述仿真电路图构建网表。
5.如权利要求1所述的FinFET漏端电流与栅极电压拟合曲线的模拟方法，其特征在于，所述仿真电路图包括：一个双栅FinFET和一个垂直壁鳍片的三栅FinFET并联。
6.如权利要求1所述的FinFET漏端电流与栅极电压拟合曲线的模拟方法，其特征在于，所述仿真电路图包括：两个双栅FinFET和一个垂直壁鳍片的三栅FinFET并联。
7.如权利要求1所述的FinFET漏端电流与栅极电压拟合曲线的模拟方法，其特征在于，所述仿真电路图包括：三个双栅FinFET和一个垂直壁鳍片的三栅FinFET并联。
8.如权利要求1所述的FinFET漏端电流与栅极电压拟合曲线的模拟方法，其特征在于，所述仿真电路图包括：一个双栅FinFET和一个环绕栅FinFET并联。
9.如权利要求1所述的FinFET漏端电流与栅极电压拟合曲线的模拟方法，其特征在于，所述仿真电路图包括：两个双栅FinFET和一个环绕栅FinFET并联。
10.如权利要求1所述的FinFET漏端电流与栅极电压拟合曲线的模拟方法，其特征在于，所述仿真电路图包括：三个双栅FinFET和一个环绕栅FinFET并联。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210639208.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
