[发明专利]双贵金属修饰有机-无机杂化钙钛矿衍生复合氧化物半导体材料、其制备方法及其应用在审

专利信息
申请号: 202210630028.8 申请日: 2022-06-06
公开(公告)号: CN115112721A 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 王晓红;徐甲强;刘涵;陈伊璐 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12
代理公司: 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 代理人: 顾勇华
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种双贵金属修饰有机‑无机杂化钙钛矿衍生复合氧化物半导体材料、其制备方法及其应用。本发明通过湿化学法合成CH3NH3SnI3并通过在不同温度下焙烧形成CH3NH3SnI3‑SnO2复合氧化物,在合成过程中引入贵金属对其进行修饰,获得双贵金属Pd‑Au修饰的复合材料。CH3NH3SnI3和SnO2复合形成Z型材料,加快了SnO2的活化,同时避免了电子和空穴的复合,提高了材料的CO气敏性能,而Pd和Au的协同作用,则使材料的性能进一步提高,其对CO具有较高的响应值,较快的响应恢复速率,较好的稳定性和选择性。本发明制备方法简单,易于实施,适合推广应用。
搜索关键词: 贵金属 修饰 有机 无机 杂化钙钛矿 衍生 复合 氧化物 半导体材料 制备 方法 及其 应用
【主权项】:
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