[发明专利]三维存储器及其制造方法、存储系统在审
申请号: | 202210629722.8 | 申请日: | 2022-06-02 |
公开(公告)号: | CN115116958A | 公开(公告)日: | 2022-09-27 |
发明(设计)人: | 孙超;许文山;甘程;王欣;江宁;薛磊 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/8239 | 分类号: | H01L21/8239;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78 |
代理公司: | 北京英思普睿知识产权代理有限公司 16018 | 代理人: | 刘莹;聂国斌 |
地址: | 430000 湖北省武*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本公开涉及一种三维存储器及其制造方法、存储系统。该制造三维存储器的方法包括:在第一半导体层形成鳍式场效应晶体管,包括:形成鳍式结构,鳍式结构包括沿远离第一半导体层的方向交替堆叠的牺牲部和沟道部,在远离第一半导体层的方向的垂面内,鳍式结构包括第一有源区、第二有源区和栅极区;在栅极区形成栅极结构;在第一有源区和第二有源区分别形成第一有源结构和第二有源结构,第一有源结构和第二有源结构中的至少一者包括沿远离第一半导体层的方向交替堆叠的第一掺杂层和第二掺杂层;形成与鳍式场效应晶体管电连接的第一键合层;在第二半导体层形成三维存储结构,并形成与三维存储结构电连接的第二键合层;将第一键合层与第二键合层键合。 | ||
搜索关键词: | 三维 存储器 及其 制造 方法 存储系统 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造