[发明专利]三维存储器及其制造方法、存储系统

权利要求书

1.一种制造三维存储器的方法，其特征在于，包括：

在第一半导体层形成鳍式场效应晶体管，其中，形成所述鳍式场效应晶体管的步骤包括：

形成鳍式结构，所述鳍式结构包括沿远离所述第一半导体层的方向交替堆叠的牺牲部和沟道部，其中，在远离所述第一半导体层的方向的垂面内，所述鳍式结构包括第一有源区、第二有源区、以及位于所述第一有源区和所述第二有源区之间的栅极区；

在所述栅极区形成栅极结构；以及

在所述第一有源区和所述第二有源区分别形成第一有源结构和第二有源结构，其中，所述第一有源结构和所述第二有源结构中的至少一者包括沿远离所述第一半导体层的方向交替堆叠的第一掺杂层和第二掺杂层；

形成与所述鳍式场效应晶体管电连接的第一键合层；

在第二半导体层形成三维存储结构，并形成与所述三维存储结构电连接的第二键合层；以及

将所述第一键合层与所述第二键合层键合。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述鳍式场效应晶体管为高压器件，沿远离所述第一半导体层的方向，所述第一掺杂层的厚度在100～200nm以内，所述第二掺杂层的厚度在100～200nm以内。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一有源结构包括第一轻掺杂区和第一重掺杂区，所述第二有源结构包括第二轻掺杂区和第二重掺杂区，

其中，在所述第一有源区和所述第二有源区分别形成所述第一有源结构和所述第二有源结构的步骤包括：

在所述鳍式结构远离所述第一半导体层的一侧，通过第一次离子注入，分别在所述第一有源区和所述第二有源区形成所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区，其中，所述第一轻掺杂区和所述第二轻掺杂区中的至少一者包括所述第一掺杂层和所述第二掺杂层；

通过第二次离子注入，在所述第一轻掺杂区的一部分形成所述第一重掺杂区，并在所述第二轻掺杂区的一部分形成所述第二重掺杂区。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第一重掺杂区和所述第二重掺杂区中的至少一者包括沿远离所述第一半导体层的方向交替堆叠的第三掺杂层和第四掺杂层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述栅极结构包括第一导电部、第二导电部和第三导电部，其中，在所述栅极区形成所述栅极结构的步骤包括：

去除所述牺牲部的位于所述栅极区中的部分，其中，任意相邻的两个所述沟道部之间以及所述沟道部和所述第一半导体层之间具有间隔空间；

在所述栅极区形成绝缘部，所述绝缘部遮挡所述沟道部在所述栅极区暴露出的表面；

在所述鳍式结构远离所述第一半导体层一侧形成所述第一导电部，在所述鳍式结构与所述一侧相邻的侧部形成所述第二导电部，以及在所述间隔空间形成所述第三导电部；

或者，

所述栅极结构包括第一导电部和第二导电部，其中，在所述栅极区形成所述栅极结构的步骤包括：

去除所述牺牲部的位于所述栅极区中的部分，其中，任意相邻的两个所述沟道部之间以及所述沟道部和所述第一半导体层之间具有间隔空间；以及

在所述栅极区形成绝缘部，其中，所述绝缘部遮挡所述沟道部在所述栅极区暴露出的表面，并填满所述间隔空间；以及

在所述鳍式结构远离所述第一半导体层一侧形成所述第一导电部，在所述鳍式结构与所述一侧相邻的侧部形成所述第二导电部。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述鳍式结构的步骤包括：

通过交替堆叠牺牲层和沟道层形成叠层结构；

在所述叠层结构形成延伸至所述第一半导体层中的第一浅沟槽和第二浅沟槽，所述第一浅沟槽和所述第二浅沟槽延伸的方向相交，将所述叠层结构分割出所述鳍式结构。