[发明专利]碱制绒液、晶体硅V型槽绒面结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202210620667.6 | 申请日： | 2022-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN114958378B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 陈兴谦;刘尧平;陈伟;张小虎;王燕;邢国光;冯博文;李昊臻;孙纵横;杜小龙 | 申请（专利权）人： | 松山湖材料实验室;中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0236 | 分类号： | H01L31/0236;C09K13/02;C30B33/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 吕露 |
| 地址： | 523000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种碱制绒液、晶体硅V型槽绒面结构及其制备方法，属于太阳能电池生产技术。碱制绒液按质量百分比计，其包括：表面活性剂0.0001％‑0.1％，含氯氧化剂0.001％‑0.1％，强碱1％‑20％，以及余量的水。碱制绒液在实际应用于晶体硅绒面结构的制备过程中时，能够利用碱制绒的方式形成晶体硅V型槽绒面结构，并且上述各原料配比合理，有利于获得表面无毛刺且较为均匀分布的V型槽绒面结构。 | ||
| 搜索关键词： | 碱制绒液 晶体 型槽绒面 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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