[发明专利]碱制绒液、晶体硅V型槽绒面结构及其制备方法

权利要求书

1.一种晶体硅V型槽绒面结构的制备方法，其特征在于，包括：

获得表面具有非晶硅掩膜层的晶体硅；

其中，所述非晶硅掩膜层的厚度沿预设方向呈周期性变化，或者，所述非晶硅掩膜层由多个互相平行且沿所述预设方向间隔布置的条状非晶硅层构成；

采用碱制绒液对所述晶体硅进行制绒处理；

其中，所述碱制绒液按质量百分比计，包括：表面活性剂0.0001％-0.1％，含氯氧化剂0.001％-0.1％，强碱1％-20％，以及余量的水，所述含氯氧化剂为次氯酸盐，所述表面活性剂为亚甲基双萘磺酸钠。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制绒处理的温度为60℃-80℃。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制绒处理的时间为800s-1200s。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述非晶硅掩膜层由以下方法制得：

以加载应力≥12GPa的条件下切割晶体硅的表面以形成多个互相平行的线槽，所述线槽的内壁为非晶硅，所述加载应力的卸载速率≥3GPa/s。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述线槽采用金刚线切割所得。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述强碱为氢氧化钾和氢氧化钠中的至少一种。

7.一种晶体硅V型槽绒面结构，其特征在于，其由权利要求1-6任意一项所述的制备方法制得，所述V型槽绒面结构的槽壁由(111)面围成。