[发明专利]一种耐高温形状记忆透明聚酰亚胺薄膜及其制备的形状记忆电极在审
| 申请号： | 202210609204.X | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN114835899A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 詹世治;靳世东;曾西平;彭礼明 | 申请（专利权）人： | 深圳市华科创智技术有限公司 |
| 主分类号： | C08G73/10 | 分类号： | C08G73/10;C08J5/18;C08J7/044;C08L79/08 |
| 代理公司： | 深圳国海智峰知识产权代理事务所(普通合伙) 44489 | 代理人： | 臧芳芳 |
| 地址： | 518116 广东省深圳市龙岗区宝龙街道*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及高分子材料技术领域，具体涉及一种耐高温形状记忆透明聚酰亚胺薄膜及其制备的形状记忆电极。所述耐高温形状记忆透明聚酰亚胺薄膜以4,4’‑二氨基‑2,2’‑双三氟甲基联苯为二胺单体，以六氟二酐和环戊酮双螺降冰片烷四甲酸二酐为二酐单体，通过一步缩聚反应制备得到。本发明所制得的透明聚酰亚胺薄膜，550nm处可见光透过率为90.9‑91.8％，热膨胀系数为16.73‑20.67ppm/K，玻璃化转变温度为356‑370℃，形状回复率为97‑98％，各项性能优异，适合作为形状记忆柔性电子器件的基材。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐高温 形状 记忆 透明 聚酰亚胺 薄膜 及其 制备 电极 | ||
【主权项】：
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