[发明专利]一种耐高温形状记忆透明聚酰亚胺薄膜及其制备的形状记忆电极在审
申请号: | 202210609204.X | 申请日: | 2022-05-31 |
公开(公告)号: | CN114835899A | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
发明(设计)人: | 詹世治;靳世东;曾西平;彭礼明 | 申请(专利权)人: | 深圳市华科创智技术有限公司 |
主分类号: | C08G73/10 | 分类号: | C08G73/10;C08J5/18;C08J7/044;C08L79/08 |
代理公司: | 深圳国海智峰知识产权代理事务所(普通合伙) 44489 | 代理人: | 臧芳芳 |
地址: | 518116 广东省深圳市龙岗区宝龙街道*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 耐高温 形状 记忆 透明 聚酰亚胺 薄膜 及其 制备 电极 | ||
1.一种耐高温形状记忆透明聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述透明聚酰亚胺薄膜以4,4’-二氨基-2,2’-双三氟甲基联苯为二胺单体,以六氟二酐和环戊酮双螺降冰片烷四甲酸二酐为二酐单体,通过一步缩聚反应制备得到。
2.根据权利要求1所述的透明聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述4,4’-二氨基-2,2’-双三氟甲基联苯、所述六氟二酐和所述环戊酮双螺降冰片烷四甲酸二酐的摩尔比为5:(5-A):A,其中1≤A≤4。
3.根据权利要求1所述的透明聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述透明聚酰亚胺薄膜的结构如下:
其中:
x、y、z相互独立地选自0.2-0.8之间任意数。
4.根据权利要求1-3任一项所述的透明聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述透明聚酰亚胺薄膜的制备方法包括以下步骤:
(1)在氮气氛围下向反应釜中依次加入反应溶剂、4,4’-二氨基-2,2’-双三氟甲基联苯、六氟二酐和环戊酮双螺降冰片烷四甲酸二酐、交联单体、催化剂以及分子量控制剂,得到反应前驱体溶液;
(2)将所述反应前驱体溶液加热进行反应;
(3)反应结束后向反应液中加入稀释剂,搅拌均匀,即得到聚酰亚胺浆料;
(4)将所述聚酰亚胺浆料涂布在基材上,采用程序升温烘干,脱模后得到具有形状记忆功能的透明聚酰亚胺薄膜。
5.根据权利要求4所述的透明聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述交联单体为三(4-氨基苯基)胺。
6.根据权利要求4所述的透明聚酰亚胺薄膜,其特征在于,步骤(2)中加热温度为135-155℃,加热时间为5-8h。
7.根据权利要求4所述的透明聚酰亚胺薄膜,其特征在于,所述聚酰亚胺浆料的固含量为20-30%。
8.一种形状记忆电极,其特征在于,所述电极从上到下依次包括纳米银保护层、纳米银导电层和如权利要求1-7任一项所述的透明聚酰亚胺薄膜。
9.根据权利要求8所述的电极,其特征在于,所述纳米银保护层的厚度为2-20μm,所述纳米银导电层的厚度为90-200nm;所述透明聚酰亚胺薄膜的厚度为50-120μm。
10.根据权利要求8所述的电极,其特征在于,所述电极通过在透明聚酰亚胺薄膜表面涂布纳米银导电油墨,烘干得到纳米银导电层,然后在纳米银导电层表面涂布纳米银保护浆料,再次烘干制得。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华科创智技术有限公司,未经深圳市华科创智技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210609204.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类