[发明专利]一种核/壳结构的SiC@SiO纳米线阵列及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202210606230.7 | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN115083791A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 高凤梅;王瑞莹;李维俊;李侃;杨为佑 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院;江苏尚今光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/26;H01G11/34;H01G11/36;H01G11/46;H01G11/86 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人： | 洪珊珊 |
| 地址： | 315000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种核/壳结构的SiC@SiO纳米线阵列及其制备方法与应用，属于超级电容器技术领域。本发明公开了一种核/壳结构的SiC@SiO纳米线阵列，所述核/壳结构的SiC@SiO纳米线阵列的相成分为单晶3C‑SiC和非晶SiO，且SiO中碳含量为1‑5at％，硅含量为40‑48at％，氧含量为50‑55at％。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 sic sio 纳米 阵列 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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