[发明专利]一种核/壳结构的SiC@SiO纳米线阵列及其制备方法与应用在审
| 申请号： | 202210606230.7 | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN115083791A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 高凤梅;王瑞莹;李维俊;李侃;杨为佑 | 申请（专利权）人： | 宁波工程学院;江苏尚今光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01G11/24 | 分类号： | H01G11/24;H01G11/26;H01G11/34;H01G11/36;H01G11/46;H01G11/86 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(特殊普通合伙) 33243 | 代理人： | 洪珊珊 |
| 地址： | 315000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 结构 sic sio 纳米 阵列 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种核/壳结构的SiC@SiO纳米线阵列，其特征在于，所述核/壳结构的SiC@SiO纳米线阵列的相成分为单晶3C-SiC和非晶SiO，且SiO中碳含量为1-5at％，硅含量为40-48at％，氧含量为50-55at％。
2.根据权利要求1所述的核/壳结构SiC@SiO纳米线阵列，其特征在于，所述SiC@SiO纳米线阵列的直径为400-700nm，线长度为10-30μm；其表面有平行于纳米线方向的SiO片层结构。
3.根据权利要求1所述的核/壳结构SiC@SiO纳米线阵列，其特征在于，所述所述核/壳结构的SiC@SiO纳米线阵列由沉积SiC纳米线的碳布在刻蚀液中刻蚀制成。
4.根据权利要求3所述的核/壳结构SiC@SiO纳米线阵列，其特征在于，所述刻蚀液为0.5-2M的硫酸溶液。
5.根据权利要求3所述的核/壳结构SiC@SiO纳米线阵列，其特征在于，刻蚀过程保持恒压刻蚀，电压值为3-6V。
6.根据权利要求3所述的核/壳结构SiC@SiO纳米线阵列，其特征在于，刻蚀时间为10-30min。
7.根据权利要求3所述的核/壳结构SiC@SiO纳米线阵列，其特征在于，所述沉积SiC纳米线的碳布表面SiC纳米线的负载量为5-6mg/cm2。
8.根据权利要求3所述的核/壳结构SiC@SiO纳米线阵列，其特征在于，沉积SiC纳米线的碳布通过如下方法制得：将预处理后的碳布覆盖在聚硅氮烷、三聚氰胺粉末表面，在高温气氛炉中加热，冷却后得沉积SiC纳米线的碳布；碳布的预处理包括将裁减后的碳布依次在酒精，稀盐酸，去离子水中超声清洗后烘干，再浸入浓度为0.01-0.1mol/L的Co(NO3)2乙醇溶液后取出烘干。
9.根据权利要求8所述的核/壳结构SiC@SiO纳米线阵列，其特征在于，在高温气氛炉中加热温度为1400-1700℃，时间为1-2.5h，加热速度为30-40℃/min。
10.一种锌离子混合超级电容器，其特征在于，所述锌离子混合超级电容器的正极为权利要求1所述的核/壳结构的SiC@SiO纳米线阵列，负极为Zn片。
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