[发明专利]一种结合多单胞带隙的S型声子晶体周期结构在审
| 申请号： | 202210577074.6 | 申请日： | 2022-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN114999432A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 吴志静;霍通通;李凤明;温舒瑞 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | G10K11/162 | 分类号： | G10K11/162;F16F1/36;F16F1/373;F16F1/377 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 李靖 |
| 地址： | 150001 黑龙江*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种结合多单胞带隙的S型声子晶体周期结构，属于减振降噪技术领域，本发明为了解决现有声子晶体在低频范围内产生带隙时，存在尺寸大且带隙宽度窄的问题，本发明提供一种结合多单胞带隙的S型声子晶体周期结构，所述周期结构包括m个S型声子晶体单个胞元，所述m个S型声子晶体单个胞元呈周期性矩阵排布，所述S型声子晶体单个胞元包括一号子胞元层、二号子胞元层和三号子胞元层，一号子胞元层、二号子胞元层和三号子胞元层右上至下依次设置，且相邻两个子胞元层之间通过连接杆相连，本申请改变声子晶体的周期排列方式，同时结合多种胞元，结合其带隙，达到良好的减振降噪的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结合 多单胞带隙 型声子 晶体 周期 结构 | ||
【主权项】：
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