[发明专利]一种结合多单胞带隙的S型声子晶体周期结构

权利要求书

1.一种结合多单胞带隙的S型声子晶体周期结构，其特征在于：所述周期结构包括m个S型声子晶体单个胞元，所述m个S型声子晶体单个胞元呈周期性矩阵排布，m为正整数；

所述S型声子晶体单个胞元包括一号子胞元层(1)、二号子胞元层(2)和三号子胞元层(3)，一号子胞元层(1)、二号子胞元层(2)和三号子胞元层(3)右上至下依次设置，且一号子胞元层(1)与二号子胞元层(2)平行设置，一号子胞元层(1)的两端分别设有一个一号连接杆(4)，每个一号连接杆(4)的一端与一号子胞元层(1)的一端相连，每个一号连接杆(4)的另一端与二号子胞元层(2)对应的一端相连，三号子胞元层(3)的两端分别设有一个二号连接杆(5)，每个二号连接杆(5)的一端与三号子胞元层(3)的一端相连，每个二号连接杆(5)的另一端与二号子胞元层(2)对应的一端相连。

2.根据权利要求1所述的一种结合多单胞带隙的S型声子晶体周期结构，其特征在于：所述一号子胞元层(1)包括n个一号大截面长方体(11)和n+1个一号小截面长方体(12)，n为正整数，n+1个一号小截面长方体(12)沿水平方向依次等距设置，每个一号大截面长方体(11)设置在相邻两个一号小截面长方体(12)之间，且每个一号小截面长方体(12)的一端与一号大截面长方体(11)一侧的中心处固定连接，每个一号大截面长方体(11)的前侧沿竖直方向加工有一个一号长方形通孔，每个一号大截面长方体(11)与一个一号小截面长方体(12)组成一个一号子胞元，位于一号子胞元层(1)两端的一号小截面长方体(12)分别与一个一号连接杆(4)相连。

3.根据权利要求2所述的一种结合多单胞带隙的S型声子晶体周期结构，其特征在于：所述二号子胞元层(2)为双排结构，两排二号子胞元上下平行设置，且两排二号子胞元构成相同，每排二号子胞元包括n个二号大截面长方体(21)和n+1个二号小截面长方体(22)，n+1个二号小截面长方体(22)沿水平方向依次等距设置，每个二号大截面长方体(21)设置在相邻两个二号小截面长方体(22)之间，且每个二号小截面长方体(22)的一端与二号大截面长方体(21)一侧的中心处固定连接，每个二号大截面长方体(21)的前侧沿水平方向加工等距加工有三个二号长方形通孔，每个二号大截面长方体(21)与一个二号小截面长方体(22)组成一个二号子胞元，位于两排二号子胞元中上排二号子胞元两端的二号小截面长方体(22)分别与一个一号连接杆(4)相连，位于两排二号子胞元中下排二号子胞元两端的二号小截面长方体(22)分别与一个二号连接杆(5)相连。

4.根据权利要求3所述的一种结合多单胞带隙的S型声子晶体周期结构，其特征在于：所述三号子胞元层(3)包括n个三号大截面长方体(31)和n+1个三号小截面长方体(32)，n+1个三号小截面长方体(32)沿水平方向依次等距设置，每个三号大截面长方体(31)设置在相邻两个三号小截面长方体(32)之间，且每个三号小截面长方体(32)的一端与三号大截面长方体(31)一侧的中心处固定连接，每个三号大截面长方体(31)的前侧沿水平方向等距加工有两个三号长方形通孔，每个三号大截面长方体(31)与一个三号小截面长方体(32)组成一个三号子胞元，位于三号子胞元层(3)两端的三号小截面长方体(32)分别与一个二号连接杆(5)相连。

5.根据权利要求4所述的一种结合多单胞带隙的S型声子晶体周期结构，其特征在于：所述一号大截面长方体(11)、一号小截面长方体(12)、二号大截面长方体(21)、二号小截面长方体(22)、三号大截面长方体(31)和三号小截面长方体(32)的材质均为光敏树脂、环氧树脂和PLA材料中的任意一种。

6.根据权利要求1所述的一种结合多单胞带隙的S型声子晶体周期结构，其特征在于：所述m的取值范围为m≥1。

7.根据权利要求5所述的一种结合多单胞带隙的S型声子晶体周期结构，其特征在于：所述n的取值范围为n≥5。