[发明专利]一种微尺寸LED芯片结构及其制备方法和剥离方法

摘要

本发明提供了一种微尺寸LED芯片结构，包括衬底和间隔设置在衬底上的多个微尺寸芯片结构；每个所述微尺寸芯片结构均包括外延片结构、支撑转移层、P电极和N电极。本发明又提供了一种制备所述的微尺寸LED芯片结构的制备方法，包括步骤S1、制备外延片结构；步骤S2、制备支撑转移层；步骤S3、制备N电极和P电极。本发明还提供了一种剥离所述微尺寸LED芯片结构的剥离方法，包括步骤W1、形成切割缝隙；步骤W2、定向腐蚀；步骤W3、衬底剥离。本发明能够实现多个微尺寸芯片的批量转移，大大的降低了剥离转移时间和转移成本，显著的提高了生产效率。