[发明专利]一种优化外延少子寿命的方法在审
| 申请号： | 202210566892.6 | 申请日： | 2022-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN114892267A | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 张坤;杜金生;张强;蔡闯;潘焱 | 申请（专利权）人： | 中环领先半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;C30B25/18 |
| 代理公司： | 苏州高专知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32474 | 代理人： | 冷泠 |
| 地址： | 214200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种优化外延少子寿命的方法，S1、更改进气分配盒涂层，在金属材质外增加涂层；S2、平衡反应腔压力，在硅片传输过程中，传输腔的压力稍大于反应腔，减少尾气端杂质元素的反灌；S3、通过原位抛光腐蚀方式改善硅片表面的粗糙度和洁净度，化学抛光修复表面的晶格结构，从而降低外延和衬底界面层的缺陷密度。本发明优化外延少子寿命的方法，通过控制影响少子的多种原因，从而提高反应腔的洁净度，增加了少子寿命。可满足14/28/55nm逻辑外延产品加工规格，同时降低了P型外延机台的装机和复机难度，方法简单有效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 优化 外延 少子 寿命 方法 | ||
【主权项】：
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