[发明专利]一种一维碳纳米管原子氧剥蚀率的测量方法在审

专利信息
申请号: 202210561030.4 申请日: 2022-05-23
公开(公告)号: CN114994113A 公开(公告)日: 2022-09-02
发明(设计)人: 李蔓;刘宇明;崔乃元;张永泰;于强;李宇;王晶虎 申请(专利权)人: 北京卫星环境工程研究所
主分类号: G01N23/2251 分类号: G01N23/2251;G01B21/02
代理公司: 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 代理人: 郭栋梁
地址: 100094 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种一维碳纳米管原子氧剥蚀率的测量方法,包括以下步骤:S1.选择测量的碳纳米管样品,并将其放置于样品台;S2.调试测量设备,测量设备包括扫描电镜、样品柱和图像测量设备;S3.操作测量设备,对样品台上的碳纳米管样品进行碳纳米管原子氧试验,得到测量数据。本发明中,通过使碳纳米管阵列排列方向与原子氧入射方向一致,用扫描电镜在相同的状态下,获取一维碳纳米管原子氧作用前后的二次电子像,然后测量碳纳米管被剥蚀的长度,以及原子氧注量,就可以计算出碳纳米管的剥蚀率,相比于传统的碳纳米管纺线的原子氧实验,本发明的碳纳米管沿轴向原子氧剥蚀更直观地显示了碳纳米管原子氧剥蚀效应。
搜索关键词: 一种 一维碳 纳米 原子 剥蚀 测量方法
【主权项】:
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