[发明专利]一种单晶铜纳米线的制备方法在审
| 申请号： | 202210559422.7 | 申请日： | 2022-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN114855274A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 高建军;徐佳星;庄丹;刘志扬;朱霖鹏 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B29/60;B82Y30/00;B82Y15/00;B82Y40/00;C30B11/02;C30B33/10;C25F3/02;B22F1/054;C22C5/08 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 俞舟舟;蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单晶铜纳米线的制备方法，是一种基于二元共晶合金系制备单晶金属铜纳米线的方法，采用定向生长结合选择性腐蚀技术，以二元共晶合金为基础，通过定生长技术制备具有铜纤维相的共晶合金，然后根据共晶体组成相的电极电位差异性，在合适的溶液中腐蚀去除基体相，从而获得单晶铜纳米线。本发明的制备过程简单可控，铜纳米线的形貌和分布可根据生长速率以及腐蚀时间调控，纳米线的尺寸控制精度高。制备出的单晶铜纳米线可以作为柔性电极中的柔性基体材料。采用定向生长结合选择性腐蚀的方法为制备单晶铜纳米线提供了新的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 单晶铜 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
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