[发明专利]一种单晶铜纳米线的制备方法

权利要求书

1.一种单晶铜纳米线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：将银颗粒和铜颗粒按照共晶相成分配比，在电磁感应熔炼炉中熔炼成母合金；

步骤2：将母合金切割成棒状的试样，用水磨砂纸将其表面打磨光洁，然后将棒状试样放置在定向生长炉中，加热温度高于银铜共晶合金熔点100℃，然后在不同的生长速率下获得不同结构和形貌的纤维铜相合金；

步骤3：将抽拉后的试样切片、镶样，试样表面打磨至镜面效果，采用电化学腐蚀的方法去除基体材料，获得单晶铜纳米线。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1中银颗粒和铜颗粒按照原子百分比60.1 at.%Ag，39.9at.%Cu的比例混合。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤1中熔炼次数至少3次。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2中的加热温度为870℃，加热时间为45min。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2中生长速率为38μm/s。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3中采用电化学腐蚀的方法具体为采用三电极电解腐蚀，腐蚀电位为0.7V，腐蚀溶液为0.1M硼酸盐缓冲液，腐蚀时间为24h。