[发明专利]一种MFS储存结构及其制备方法与应用

摘要

本发明公开了一种MFS储存结构及其制备方法与应用。所述MFS储存结构，包括依次层叠设置的衬底、ZnO低温缓冲层、ZnO薄膜、Zn1‑xMxO薄膜和Zn1‑yMyO铁电薄膜；其中，M选自Mg、V、Sb、Y或Gd中的至少一种；其中，0＜x≤0.4，0.3≤y≤0.6。所述MFS储存结构，构建了准同质外延集成体系，从而减少了薄膜界面缺陷、提高了铁电薄膜质量，提高铁电栅极调控沟道电流通断效率，实现了高性能铁电存储。