[发明专利]一种MFS储存结构及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种MFS储存结构，其特征在于：

包括依次层叠设置的衬底、ZnO低温缓冲层、ZnO薄膜、Zn_1-xM_xO薄膜和Zn_1-yM_yO铁电薄膜；

其中，M选自Mg、V、Sb、Y或Gd中的至少一种；

其中，0＜x≤0.4，0.3≤y≤0.6。

2.根据权利要求1所述的一种MFS储存结构，其特征在于：0.3≤y≤0.37。

3.根据权利要求1所述的一种MFS储存结构，其特征在于：所述Zn_1-xM_xO薄膜厚度为30～60nm。

4.根据权利要求1所述的一种MFS储存结构，其特征在于：所述Zn_1-yM_yO铁电薄膜厚度为100～400nm。

5.根据权利要求1所述的一种MFS储存结构，其特征在于：所述衬底包括蓝宝石、云母和石英衬底中的至少一种。

6.一种制备如权利要求1至5任一项所述的一种MFS储存结构的方法，其特征在于：包括以下步骤：

在衬底上依次生长ZnO低温缓冲层、ZnO薄膜、Zn_1-xM_xO薄膜和Zn_1-yM_yO铁电薄膜。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述生长所用工艺选自MBE、PLD和MOCVD中的至少一种。

8.如权利要求1至5任一项所述的一种MFS储存结构在场效应晶体管中的应用。

9.如权利要求1至5任一项所述的一种MFS储存结构在半导体储存器中的应用。