[发明专利]一种激光投影接近式巨量转移装置、方法及设备在审
| 申请号： | 202210520859.X | 申请日： | 2022-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN114864474A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 黄永安;陈福荣;胡金龙;孙宁宁;余海洋;凌红 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L25/075 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 尚威;李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于MicroLED组装领域，公开了一种投影接近式巨量转移装置，装置可以在单激光和双激光下实现转移工作。该装置包括支撑层、动态释放层和粘性发泡层，其中，支撑层为基底层；动态释放层设置在支撑层上，在紫外或者红外激光的作用下，动态释放层被烧蚀产生烧蚀气体，进而使得动态释放层产生鼓泡；粘性发泡层设置在动态释放层上，发泡层与待转移MicroLED接触，在加热作用或者激光的作用下，粘性发泡层内部的发泡颗粒膨胀，降低发泡层的粘性，从而在印章和芯片界面，形成具有微结构的鼓泡，实现与待转移MicroLED的剥离。本发明解决了现有MicroLED巨量转移过程中转移速度和良品率低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 投影 接近 巨量 转移 装置 方法 设备 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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