[发明专利]一种激光投影接近式巨量转移装置、方法及设备在审
申请号: | 202210520859.X | 申请日: | 2022-05-12 |
公开(公告)号: | CN114864474A | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 黄永安;陈福荣;胡金龙;孙宁宁;余海洋;凌红 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L25/075 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 尚威;李智 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 激光 投影 接近 巨量 转移 装置 方法 设备 | ||
1.一种激光投影接近式巨量转移装置,其特征在于,包括:激光器模块(0125)、激光掩模投影光路模块(0126)、视觉模块(0128)和巨量转移模块,所述巨量转移模块包括自上而下设置的支撑层(0107)、动态释放层(0108)和粘性发泡层(0109);其中,
所述支撑层(0107)为基底层;所述动态释放层(0108)设置在所述支撑层(0107)上,在激光的作用下,该动态释放层(0108)被烧蚀产生烧蚀气体,进而使得该动态释放层产生鼓泡;所述粘性发泡层(0109)设置在所述动态释放层(0108)上,该粘性发泡层(0109)与待转移MicroLED接触,在热刺激或者激光的作用下,该粘性发泡层(0109)内部的发泡颗粒膨胀,降低该粘性发泡层(0109)的粘性,从而实现与待转移MicroLED的剥离;
激光器模块(0125)用于发射所述激光,激光掩模投影光路模块(0126)用于将所述激光投射至动态释放层(0108),视觉模块(0128)用于实时观测待转移MicroLED的转移过程。
2.如权利要求1所述的一种激光投影接近式巨量转移装置,其特征在于,所述动态释放层(0108)采用的材料为聚酰亚胺、GaN、三氮烯聚合物、金和钛中的一种。
3.如权利要求1所述的一种激光投影接近式巨量转移装置,其特征在于,所述粘性发泡层(0109)中包括发泡基体和均匀分布在该发泡基体中的发泡颗粒。
4.如权利要求3所述的一种激光投影接近式巨量转移装置,其特征在于,所述发泡颗粒为发泡温度为160℃~180℃、颗粒粒径为1μm~15μm的材料。
5.如权利要求3或4所述的一种激光投影接近式巨量转移装置,其特征在于,所述发泡颗粒的材料为阿克苏微球发泡剂JH-PG07、JH-PG16或JH-PG18。
6.如权利要求3或4所述的一种激光投影接近式巨量转移装置,其特征在于,所述粘性发泡基体的材料为具有粘弹性的热塑性材料。
7.如权利要求1所述的一种激光投影接近式巨量转移装置,其特征在于,所述支撑层的厚度为500μm~1000μm。
8.一种权利要求1-7任一项所述的激光投影接近式巨量转移装置中的巨量转移模块的制备方法,其特征在于,包括下列步骤:
S1选取硬质且透明的基底作为所述支撑层;
S2在该支撑层上旋涂所述动态释放层的溶液,固化;
S3选取粘性发泡层基体和发泡颗粒的材料,将二者混合均匀形成混合溶液,将该混合溶液旋涂在固化后的所述动态释放层上,固化,以此获得所需的巨量转移装置。
9.如权利要求8所述的制备方法,其特征在于,在步骤S2中,所述固化的温度为180℃~220℃,固化时间为3小时~5小时。
10.如权利要求8所述的制备方法,其特征在于,在步骤S3中,所述固化的温度为60℃~90℃,时间为10分钟~20分钟。
11.一种利用权利要求1-7任一项所述的激光投影接近式巨量转移装置进行单激光巨量转移的方法,其特征在于,包括下列步骤:
S1、将巨量转移装置设置在待转移MicroLED上方,并一一对应;
S2、将带有MicroLED阵列的转移装置,放置到热板加热到120~180℃,粘性发泡层中发泡球受热膨胀,印章和MicroLED芯片界面形成微结构,初步形成改变界面粘性;
S3、将带有制备MicroLED阵列转移印章移动到激光驱动平台上;采用单激光照射所述巨量转移装置,激光穿过所述支撑层照射在所述动态释放层,使得动态释放层烧蚀或发生相变鼓泡,巨量转移装置的粘性发泡层和待转移MicroLED界面接触面积进一步减少;
S4巨量转移装置鼓泡产生回弹,使得MicroLED完全从印章上剥离,并成功转移到接收基底上。
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