[发明专利]三维存储器及其形成方法在审
| 申请号： | 202210502920.8 | 申请日： | 2022-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN114864501A | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 邵光速;肖德元;邱云松;白卫平;蒋懿;苏星松 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 陈丽丽 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供的三维存储器的形成方法包括如下步骤：形成衬底、以及堆叠层，堆叠层包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层，第二半导体层的厚度为D1，第一半导体层中包括多个沟道区域、以及沿第一方向分布于每一沟道区域的相对两侧的第一区域和第二区域，第一方向为平行于衬底的顶面的方向；形成分别暴露多个沟道区域的多个第一开口，且在沿第二方向上相邻的两个第一开口之间的间隙宽度为D2，D1D2，第二方向为平行于衬底的顶面、且与第一方向相交的方向；沿第一开口沉积导电层，导电层包括包覆沟道区域且沿第二方向填充相邻第一开口之间的间隙。本公开形成了水平字线结构，改善了三维存储器的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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