[发明专利]一种超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体及其制备方法、Si-B-O-C陶瓷的制备方法在审
| 申请号： | 202210496894.2 | 申请日： | 2022-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN114835900A | 公开（公告）日： | 2022-08-02 |
| 发明（设计）人： | 孔杰;周睿;张禧澄;于震;孙语瑶;宋燕 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C08G77/22 | 分类号： | C08G77/22;C08G77/06;C04B35/563;C04B35/571;C04B35/622 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王苗苗 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于光固化3D打印的超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体及其制备方法、Si‑B‑O‑C陶瓷的制备方法，涉及陶瓷材料技术领域。本发明提供的超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体的制备方法，包括以下步骤：在保护气氛下，将1,4‑二氧六环和硼酸衍生物混合，得到硼酸衍生物溶液；将所述硼酸衍生物溶液和含丙烯酸取代的三烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷、苯基取代的二烷氧基硅烷以及含取代基的一烷氧基硅烷混合，进行聚合反应，得到超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体。采用本发明的超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体制备的陶瓷的分解温度至少升高到1400℃，具有优异的高温耐氧化性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超支 化聚硼硅氧烷 陶瓷 前驱 及其 制备 方法 si | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北工业大学，未经西北工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202210496894.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
