[发明专利]一种超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体及其制备方法、Si-B-O-C陶瓷的制备方法

权利要求书

1.一种用于光固化3D打印的超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体的制备方法，包括以下步骤：

在保护气氛下，将1,4-二氧六环和硼酸衍生物混合，得到硼酸衍生物溶液；

将所述硼酸衍生物溶液和含丙烯酸取代的三烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷、苯基取代的二烷氧基硅烷以及含取代基的一烷氧基硅烷混合，进行聚合反应，得到超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硼酸衍生物溶液的浓度为0.11～0.15g/mL。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硼酸衍生物、含丙烯酸取代的三烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷、苯基取代的二烷氧基硅烷以及含取代基的一烷氧基硅烷的摩尔比为0.30～0.37：0.075～0.15：0.325～0.35：0.1：0.05～0.1。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述聚合反应的温度为75～120℃，聚合反应的时间为6～12h。

5.权利要求1～4任一项所述制备方法制备得到的超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体。

6.一种Si-B-O-C陶瓷的制备方法，包括以下步骤：

将超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体和光引发剂混合，得到打印原料；所述超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体为权利要求5所述超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体；

采用3D打印技术将所述打印原料进行打印，得到陶瓷素坯；

在保护气氛下，将所述陶瓷素坯进行热解处理，得到Si-B-O-C陶瓷。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述光引发剂为(2,4,6-三甲基苯甲酰基)二苯基氧化膦。

8.根据权利要求6或7所述的制备方法，其特征在于，所述光引发剂的质量为超支化聚硼硅氧烷陶瓷前驱体质量的1～5％。

9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述热解处理的温度为1100～1500℃，保温时间为2～3h。

10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述保护气氛为氩气气氛。