[发明专利]一种TOPCon电池及其制备方法有效
申请号: | 202210489736.4 | 申请日: | 2022-05-07 |
公开(公告)号: | CN114597267B | 公开(公告)日: | 2022-08-26 |
发明(设计)人: | 李红博;何胜;余浩;单伟;徐伟智 | 申请(专利权)人: | 正泰新能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 杨威 |
地址: | 314400 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明提供了一种TOPCon电池及其制备方法;该TOPCon电池,包括:Si基体;复合在所述Si基体上的隧穿氧化层;复合在所述隧穿氧化层上的第一晶硅层;复合在所述第一晶硅层上的磷扩散阻挡层;复合在所述磷扩散阻挡层上的第二晶硅层;复合在所述第二晶硅层上的H阻挡层;复合在所述H阻挡层上的氮硅层。与现有技术相比,本发明提供的TOPCon电池引入磷扩散阻挡层和H阻挡层,其中设置磷扩散阻挡层,实现磷重掺并阻止过多磷扩散进隧穿氧化层破坏隧穿效果,设置H阻挡层,在后续的热过程中阻止H外溢,强化H钝化效果,并且阻止磷向氮化硅层扩散破坏氮化硅钝化效果,在此基础上,配合其他特定层结构,实现产品整体性的强化,从而提升电池效率,最终降低电池度电成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 topcon 电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的