[发明专利]一种TOPCon电池及其制备方法

权利要求书

1.一种TOPCon电池，包括：

Si基体；

复合在所述Si基体上的隧穿氧化层；

复合在所述隧穿氧化层上的第一晶硅层；所述第一晶硅层的厚度为10nm～25nm；

复合在所述第一晶硅层上的磷扩散阻挡层；所述磷扩散阻挡层为SiO₂层，厚度为2nm ～5nm；

复合在所述磷扩散阻挡层上的第二晶硅层；所述第二晶硅层为磷掺杂多晶硅层，厚度为80nm～100nm；

复合在所述第二晶硅层上的H阻挡层；所述H阻挡层为SiO₂层，厚度为2nm～5nm；

复合在所述H阻挡层上的氮硅层；所述氮硅层为SiNx-SiONx叠层，氮硅层的厚度为60nm～90nm；

所述TOPCon电池的制备方法包括以下步骤：

将N型单晶硅片依次进行制绒、硼扩散、去背面绕镀和背面抛光后，依次生长隧穿氧化层、第一晶硅层、磷扩散阻挡层、第二晶硅层、H阻挡层和氮硅层，得到TOPCon电池；所述磷扩散阻挡层采用氧化剂在第一晶硅层上生长，形成的SiO₂阻挡层；

所述H阻挡层的生长过程具体为：

先采用原位掺杂的方式在磷扩散阻挡层上沉积磷掺杂多晶硅层，得到第二晶硅层；再采用氧化剂在第二晶硅层上生长SiO₂层后高温退火，得到H阻挡层；

或，

先在磷扩散阻挡层上沉积本征多晶硅层，再经高温磷扩散和高温通氧退火，得到第二晶硅层；最后采用氧化剂在第二晶硅层上生长SiO₂层，得到H阻挡层。

2.根据权利要求1所述的TOPCon电池，其特征在于，所述隧穿氧化层的厚度为1nm～2nm。

3.根据权利要求1所述的TOPCon电池，其特征在于，所述氧化剂选自O₂、N₂O、H₂O和O₃中的一种或多种。