[发明专利]集成电路（IC）芯片及其形成方法在审
| 申请号： | 202210473679.0 | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN115643764A | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 陈姿妤;石昇弘;张富宸;涂国基 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B53/00 | 分类号： | H10B53/00;H10B53/30 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的各个实施例涉及存储器单元，其中界面层位于铁电层的底部上，位于底部电极和铁电层之间。界面层是与底部电极和铁电层不同的材料，并且具有与底部电极的顶面相比具有高纹理均匀性的顶面。例如，界面层可以是电介质、金属氧化物或金属，该电介质、金属氧化物或金属是：(1)非晶的；(2)单晶的；(3)具有低晶粒尺寸变化的晶体；(4)具有高百分比的共享共同取向的晶粒的晶体；(5)具有高百分比的具有小晶粒尺寸的晶粒的晶体；或(6)前述的任何组合。应该理解，这样的材料导致界面层的顶面处的高纹理均匀性。本申请的实施例还涉及集成电路(IC)芯片及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 ic 芯片 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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