[发明专利]集成电路（IC）芯片及其形成方法在审
| 申请号： | 202210473679.0 | 申请日： | 2022-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN115643764A | 公开（公告）日： | 2023-01-24 |
| 发明（设计）人： | 陈姿妤;石昇弘;张富宸;涂国基 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B53/00 | 分类号： | H10B53/00;H10B53/30 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成电路 ic 芯片 及其 形成 方法 | ||
1.一种集成电路(IC)芯片，包括存储器单元，其中，所述存储器单元包括：
底部电极；
铁电层，位于所述底部电极上面；
顶部电极，位于所述铁电层上面；以及
第一界面层，位于所述铁电层和所述底部电极之间，其中，所述第一界面层的顶面具有比所述底部电极的顶面高的纹理均匀性，以增强所述铁电层的剩余极化。
2.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，所述第一界面层是单晶电介质、金属氧化物或金属。
3.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，所述第一界面层是晶体电介质、晶体金属或晶体金属氧化物，其中至少90％的晶粒共享共同取向。
4.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，所述第一界面层具有约400摄氏度以上的晶体温度。
5.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，所述第一界面层是晶体电介质、金属或金属氧化物，其中至少90％的晶粒具有小于约1纳米的晶粒尺寸。
6.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，所述第一界面层是非晶电介质、非晶金属或非晶金属氧化物。
7.根据权利要求1所述的集成电路芯片，其中，所述存储器单元还包括：
第二界面层，位于所述顶部电极和所述铁电层之间，其中，所述第二界面层具有比所述铁电层高的能带隙。
8.根据权利要求7所述的集成电路芯片，其中，所述第二界面层是与所述第一界面层相同的材料。
9.一种集成电路(IC)芯片，包括存储器单元，其中，所述存储器单元包括：
底部电极；
铁电层，位于所述底部电极上面；
顶部电极，位于所述铁电层上面；以及
第一界面层，位于所述铁电层和所述底部电极之间并且直接接触所述铁电层和所述底部电极，其中，所述第一界面层是非晶材料、单晶材料或晶体材料，其中所述第一界面层中的大多数晶粒共享共同取向和/或具有小于约1纳米的晶粒尺寸。
10.一种形成集成电路(IC)芯片的方法，包括：
在衬底上方沉积底部电极层；
在所述底部电极层上面沉积第一界面层；
在所述第一界面层上面并且直接在所述第一界面层上沉积铁电层；
在所述铁电层上面沉积顶部电极层；以及
图案化所述底部电极层和所述顶部电极层、所述第一界面层以及所述铁电层以形成存储器单元；
其中，所述第一界面层的顶面具有比所述底部电极层的顶面大的纹理均匀性。
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