[发明专利]一种P型IBC单晶太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种P型IBC单晶太阳能电池及其制备方法，制备方法包括：（1）硅基底双面抛光；（2）双面沉积隧穿氧化层和非晶硅层，高温磷扩散实现非晶硅层的掺杂和晶化；（3）背面涂覆一层图形化的保护膜；（4）双面碱制绒；（5）双面沉积氧化铝膜；（6）双面沉积氮化硅膜；（7）利用激光对P区进行图形化开膜；（8）丝网印刷。本发明在硅基底背面单面涂覆具有一定图形化的保护膜，能够保护硅基底背面的N区不被制绒碱液腐蚀，省去了一道利用激光隔离P区和N区的工序，避免了激光对硅基底的损伤，有利于提高电池的转换效率；而且不需要昂贵的真空设备，节约工序的同时也大大降低了生产成本。